- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/23 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés
Détention brevets de la classe H10B 43/23
Brevets de cette classe: 7
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
1 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
1 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
1 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3677 |
1 |
| ULVAC, Inc. | 1448 |
1 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |